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Device Electronics For Integrated Circuits / Richard S. Muller

By: Contributor(s): Material type: TextTextLanguage: Inglés Publication details: Estados Unidos: John Wiley & Sons, 1986Edition: 2a EdiciónDescription: 527 páginas Figuras, gráficas, texto 23 cmISBN:
  • 0-471-84309-1
Subject(s): LOC classification:
  • TK7871 M85
Contents:
1. Semiconductor Electronics 2. Silicon Technology 3. Metal-Semiconductor Contacts 4. pn Junctions 5. Currents in pn Junctions 6. Bipolar Transistors I: Basic Properties 7. Bipolar Transistors II: Limitations and Models 8. Properties of the Metal-Oxide-Silicon System 9. MOS Field-Effect Transistors I: Basic Theories and Models 10. MOS Field-Effect Transistors II: Limitations and Perspectives
Summary: Este libro ofrece una exposición exhaustiva de los dispositivos electrónicos usados en circuitos integrados, con hincapié en la física de semiconductores, la tecnología de silicio, y los modelos y limitaciones de dispositivos reales, especialmente MOSFETs y transistores bipolares. Se inicia con los conceptos fundamentales (estructura de bandas, cargas, transporte, uniones pn), prosigue con los procesos de manufactura y empaquetado de silicio, y luego analiza las propiedades eléctricas de contactos metal-semiconductor, uniones pn, corriente y comportamiento dinámico. En sus capítulos finales aborda en profundidad los transistores bipolares y MOS, incluyendo efectos de canal corto, efectos de alta tensión, degradación y confiabilidad, además de herramientas de simulación para modelar estos dispositivos. Está dirigido principalmente a estudiantes de ingeniería eléctrica / electrónica con interés en diseño de circuitos integrados, proporcionando muchos ejemplos trabajados y problemas de práctica que permiten comprender tanto teoría como aplicaciones reales.
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1. Semiconductor Electronics
2. Silicon Technology
3. Metal-Semiconductor Contacts
4. pn Junctions
5. Currents in pn Junctions
6. Bipolar Transistors I: Basic Properties
7. Bipolar Transistors II: Limitations and Models
8. Properties of the Metal-Oxide-Silicon System
9. MOS Field-Effect Transistors I: Basic Theories and Models
10. MOS Field-Effect Transistors II: Limitations and Perspectives

Este libro ofrece una exposición exhaustiva de los dispositivos electrónicos usados en circuitos integrados, con hincapié en la física de semiconductores, la tecnología de silicio, y los modelos y limitaciones de dispositivos reales, especialmente MOSFETs y transistores bipolares. Se inicia con los conceptos fundamentales (estructura de bandas, cargas, transporte, uniones pn), prosigue con los procesos de manufactura y empaquetado de silicio, y luego analiza las propiedades eléctricas de contactos metal-semiconductor, uniones pn, corriente y comportamiento dinámico. En sus capítulos finales aborda en profundidad los transistores bipolares y MOS, incluyendo efectos de canal corto, efectos de alta tensión, degradación y confiabilidad, además de herramientas de simulación para modelar estos dispositivos. Está dirigido principalmente a estudiantes de ingeniería eléctrica / electrónica con interés en diseño de circuitos integrados, proporcionando muchos ejemplos trabajados y problemas de práctica que permiten comprender tanto teoría como aplicaciones reales.

Ingeniería Mecánica

Ingeniería en Tecnologías de la Información y Comunicaciones

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