Device Electronics For Integrated Circuits /
Richard S. Muller
Device Electronics For Integrated Circuits / Richard S. Muller - 2a Edición - Estados Unidos: John Wiley & Sons, 1986 - 527 páginas Figuras, gráficas, texto 23 cm
1. Semiconductor Electronics
2. Silicon Technology
3. Metal-Semiconductor Contacts
4. pn Junctions
5. Currents in pn Junctions
6. Bipolar Transistors I: Basic Properties
7. Bipolar Transistors II: Limitations and Models
8. Properties of the Metal-Oxide-Silicon System
9. MOS Field-Effect Transistors I: Basic Theories and Models
10. MOS Field-Effect Transistors II: Limitations and Perspectives
Este libro ofrece una exposición exhaustiva de los dispositivos electrónicos usados en circuitos integrados, con hincapié en la física de semiconductores, la tecnología de silicio, y los modelos y limitaciones de dispositivos reales, especialmente MOSFETs y transistores bipolares. Se inicia con los conceptos fundamentales (estructura de bandas, cargas, transporte, uniones pn), prosigue con los procesos de manufactura y empaquetado de silicio, y luego analiza las propiedades eléctricas de contactos metal-semiconductor, uniones pn, corriente y comportamiento dinámico. En sus capítulos finales aborda en profundidad los transistores bipolares y MOS, incluyendo efectos de canal corto, efectos de alta tensión, degradación y confiabilidad, además de herramientas de simulación para modelar estos dispositivos. Está dirigido principalmente a estudiantes de ingeniería eléctrica / electrónica con interés en diseño de circuitos integrados, proporcionando muchos ejemplos trabajados y problemas de práctica que permiten comprender tanto teoría como aplicaciones reales.
0-471-84309-1
Ingeniería en tecnologias de la información y comunicaciones
Ingeniería mecánica
TK7871 / M85
Device Electronics For Integrated Circuits / Richard S. Muller - 2a Edición - Estados Unidos: John Wiley & Sons, 1986 - 527 páginas Figuras, gráficas, texto 23 cm
1. Semiconductor Electronics
2. Silicon Technology
3. Metal-Semiconductor Contacts
4. pn Junctions
5. Currents in pn Junctions
6. Bipolar Transistors I: Basic Properties
7. Bipolar Transistors II: Limitations and Models
8. Properties of the Metal-Oxide-Silicon System
9. MOS Field-Effect Transistors I: Basic Theories and Models
10. MOS Field-Effect Transistors II: Limitations and Perspectives
Este libro ofrece una exposición exhaustiva de los dispositivos electrónicos usados en circuitos integrados, con hincapié en la física de semiconductores, la tecnología de silicio, y los modelos y limitaciones de dispositivos reales, especialmente MOSFETs y transistores bipolares. Se inicia con los conceptos fundamentales (estructura de bandas, cargas, transporte, uniones pn), prosigue con los procesos de manufactura y empaquetado de silicio, y luego analiza las propiedades eléctricas de contactos metal-semiconductor, uniones pn, corriente y comportamiento dinámico. En sus capítulos finales aborda en profundidad los transistores bipolares y MOS, incluyendo efectos de canal corto, efectos de alta tensión, degradación y confiabilidad, además de herramientas de simulación para modelar estos dispositivos. Está dirigido principalmente a estudiantes de ingeniería eléctrica / electrónica con interés en diseño de circuitos integrados, proporcionando muchos ejemplos trabajados y problemas de práctica que permiten comprender tanto teoría como aplicaciones reales.
0-471-84309-1
Ingeniería en tecnologias de la información y comunicaciones
Ingeniería mecánica
TK7871 / M85
