Universidad Autónoma de Occidente

Device Electronics For (Record no. 8740)

MARC details
000 -CABECERA
campo de control de longitud fija 02464cam a22002654a 4500
008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL
campo de control de longitud fija 250421t1986 usa||||| |||| 00| 0 eng d
020 ## - ISBN
Número Internacional Estándar del Libro 0-471-84309-1
040 ## - FUENTE DE CATALOGACIÓN
Centro catalogador/agencia de origen TECNM/ITTláhuac-II
Lengua de catalogación Español
Centro/agencia transcriptor ITTláhuac-II
Normas de descripción rda
Centro/agencia modificador ITTláhuac-II
041 ## - CÓDIGO DE IDIOMA
Código de idioma del texto Inglés
050 00 - SIGNATURA TOPOGRÁFICA DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO
Número de clasificación TK7871
Cutter M85
Año 1986
100 ## - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA
Nombre de persona Richard S. Muller
9 (RLIN) 3664
Término indicativo de función/relación Autor
245 00 - MENCIÓN DEL TÍTULO
Título Device Electronics For
Subtítulo Integrated Circuits /
Mención de responsabilidad, etc. Richard S. Muller
250 ## - MENCION DE EDICION
Mención de edición 2a Edición
260 3# - PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, ETC.
Lugar de publicación Estados Unidos:
Nombre del editor John Wiley & Sons,
Fecha de publicación 1986
300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA
Extensión 527 páginas
Otras características físicas Figuras, gráficas, texto
Dimensiones 23 cm
505 ## - TABLA DE CONTENIDO
Tabla de contenido 1. Semiconductor Electronics<br/>2. Silicon Technology<br/>3. Metal-Semiconductor Contacts<br/>4. pn Junctions<br/>5. Currents in pn Junctions<br/>6. Bipolar Transistors I: Basic Properties<br/>7. Bipolar Transistors II: Limitations and Models<br/>8. Properties of the Metal-Oxide-Silicon System<br/>9. MOS Field-Effect Transistors I: Basic Theories and Models<br/>10. MOS Field-Effect Transistors II: Limitations and Perspectives
520 ## - RESUMEN
Resumen Este libro ofrece una exposición exhaustiva de los dispositivos electrónicos usados en circuitos integrados, con hincapié en la física de semiconductores, la tecnología de silicio, y los modelos y limitaciones de dispositivos reales, especialmente MOSFETs y transistores bipolares. Se inicia con los conceptos fundamentales (estructura de bandas, cargas, transporte, uniones pn), prosigue con los procesos de manufactura y empaquetado de silicio, y luego analiza las propiedades eléctricas de contactos metal-semiconductor, uniones pn, corriente y comportamiento dinámico. En sus capítulos finales aborda en profundidad los transistores bipolares y MOS, incluyendo efectos de canal corto, efectos de alta tensión, degradación y confiabilidad, además de herramientas de simulación para modelar estos dispositivos. Está dirigido principalmente a estudiantes de ingeniería eléctrica / electrónica con interés en diseño de circuitos integrados, proporcionando muchos ejemplos trabajados y problemas de práctica que permiten comprender tanto teoría como aplicaciones reales.
526 ## - PROGRAMA DE ESTUDIO
Nombre del programa Ingeniería Mecánica
526 ## - PROGRAMA DE ESTUDIO
Nombre del programa Ingeniería en Tecnologías de la Información y Comunicaciones
650 #0 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA
Término de materia Ingeniería en tecnologias de la información y comunicaciones
9 (RLIN) 585
650 #0 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA
Término de materia Ingeniería mecánica
9 (RLIN) 582
700 2# - ENTRADA AGREGADA--NOMBRE PERSONAL
Nombre de persona Theodore I. Kamins
9 (RLIN) 3665
942 ## - ELEMENTOS DE ENTRADA SECUNDARIOS (KOHA)
Fuente del sistema de clasificación o colocación Clasificación LC, Biblioteca del Congreso
Suprimir en OPAC No
Tipo de ítem Koha Libro
945 ## - CATALOGADORES
Número del Creador del Registro 1253
Nombre del Creador del Registro Luis Felipe Rivas Mendoza
Número de último modificador del registro 1253
Nombre del último modificador del registro Luis Felipe Rivas Mendoza

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