Paul R. Gray <br/><br/>
Análisis y Diseños de CIRCUITOS INTEGRADOS ANALOGICOS 3a edición / 

 -  Prentice Hall 
 - 792 páginas  Ilustraciones, Tablas y Gráficas   25.4 cm x 20 cm  
<br/><br/>Incluye Referencias Bibliográficas  
<br/><br/>Contenido<br/><br/>Simbolos Convencionales<br/><br/>CAPITULO 1<br/><br/>MODELOS PARA DISPOSITIVOS ACTIVOS DE CIRCUITOS INTEGRADOS<br/><br/>1.1 Introducción<br/><br/>1.2<br/><br/>Región de agotamiento en una unión pa<br/><br/>1<br/><br/>1.3 Comportamiento de transistores bipolares a gran señal 1.4 Modelos en pequeña señal de los transistores bipolares<br/><br/>10<br/><br/>30<br/><br/>1.5 Comportamiento a gran señal de los transistores de unión de efecto de campo<br/><br/>46<br/><br/>1.6<br/><br/>Modelo en pequeña señal del JFET<br/><br/>55<br/><br/>1.7 Comportamiento a gran señal de los transistores de efecto de campo Metal Oxido Semiconductor<br/><br/>59<br/><br/>1.8<br/><br/>Modelo de pequeña señal del transistor MOS en saturación<br/><br/>67<br/><br/>1.9 1.10 Conducción subumbral en MOSFET<br/><br/>1.11<br/><br/>Efecto de canal corto en FET<br/><br/>72<br/><br/>76<br/><br/>TAM<br/><br/>Flujo de corriente en el sustrato en MOSFET Apéndice<br/><br/>A1.1 Resumen de parámetros de dispositivos activos<br/><br/>81<br/><br/>CAPITULO 2<br/><br/>TECNOLOGIA DE CIRCUITOS INTEGRADOS BIPOLARES, MOS Y BICMOS<br/><br/>89<br/><br/>2.1 Introducción<br/><br/>89<br/><br/>PEPLA 90<br/><br/>2.2 Procesos básicos en la fabricación de circuitos integrados 2.3<br/><br/>Fabricación de circuitos integrados bipolares de alto voltaje<br/><br/>102<br/><br/>2.4 Fabricación avanzada de circuitos integrados bipolares<br/><br/>105<br/><br/>2.5 Dispositivos activos en circuitos integrados analógicos bipolares<br/><br/>111<br/><br/>2.6 Componentes pasivos en los circuitos integrados bipolares<br/><br/>133<br/><br/>2.7 Modificaciones al proceso bipolar básico<br/><br/>143<br/><br/>2.8 Fabricación de circuitos integrados MOS<br/><br/>149<br/><br/>2.9 Dispositivos activos en los circuitos integrados MOS<br/><br/>154<br/><br/>2.10 Componentes pasivos en la tecnología MOS<br/><br/>167<br/><br/>2.11 Tecnología BICMOS<br/><br/>172<br/><br/>2.12 Economía en la fabricación de circuitos integrados<br/><br/>173<br/><br/>2.13 Consideraciones de encapsulado para circuitos integrados<br/><br/>TO/180<br/><br/>Apéndice<br/><br/>A2.1 Archivos de parámetros de modelo SPICE<br/><br/>185<br/><br/>CAPITULO<br/><br/>3 AMPLIFICADORES DE UNO Y DE DOS TRANSISTORES<br/><br/>193<br/><br/>3.1 Selección de modelo de dispositivo para el análisis aproximado de los circuitos analógicos<br/><br/>195<br/><br/>3.2 Etapas básicas de amplificación de un solo transistor<br/><br/>196<br/><br/>219<br/><br/>227<br/><br/>3.4 Pares acopiados en emisor 3.3 Etapas de amplificador de dos transistores<br/><br/>3.5<br/><br/>Pares FET acoplados en fuente<br/><br/>244<br/><br/>3.6<br/><br/>Efectes de desigualdad en dispositivos de amplificadores diferenciales<br/><br/>250<br/><br/>Apéndice<br/><br/>A3.1 Estadistica elemental y la distribución de Gauss<br/><br/>260<br/><br/>CAPITULO 4<br/><br/>FUENTES DE CORRIENTE DE TRANSISTORES Y CARGAS<br/><br/>269<br/><br/>ACTIVAS<br/><br/>4.1 Introducción<br/><br/>269<br/><br/>4.2 Fuentes de corriente<br/><br/>270<br/><br/>4.3<br/><br/>Fuentes de corriente como cargas activas<br/><br/>287<br/><br/>Apéndice<br/><br/>A4.1 Consideraciones de pareamiento en fuentes de corriente de<br/><br/>transistores<br/><br/>317<br/><br/>Polarización independiente de la alimentación<br/><br/>322<br/><br/>A4.2<br/><br/>A4.3 Polarización independiente de la temperatura<br/><br/>333<br/><br/>346<br/><br/>A4.4 Polarización en baja corriente<br/><br/>CAPITULOS ETAPAS DE SALIDA<br/><br/>5.1 Introducción<br/><br/>5.2 El emisor seguidor como etapa de salida<br/><br/>5.3 Etapa de salida de emisor común<br/><br/>5.4 Etapa de salida de base común<br/><br/>1377<br/><br/>378<br/><br/>409<br/><br/>5.5 Etapa de salida en contrafase de clase B<br/><br/>CAPITULO 6<br/><br/>AMPLIFICADORES OPERACIONALES<br/><br/>355<br/><br/>355<br/><br/>355<br/><br/>370<br/><br/>6.1<br/><br/>Aplicaciones de los amplificadores operacionales<br/><br/>410<br/><br/>6.2 Desviaciones de lo ideal en amplificadores operacionales reales<br/><br/>420<br/><br/>6.4<br/><br/>6.3 Análisis de los amplificadores operacionales monolíticos<br/><br/>425<br/><br/>Consideraciones de diseño en amplificadores operacionales monoliticos<br/><br/>445<br/><br/>6.5 Amplificadores operacionales MOS<br/><br/>460<br/><br/>Apéndice<br/><br/>A6.1 Cálculo de voltaje y corriente de desvio de entrada del 741<br/><br/>466<br/><br/>A6.2 Voltaje de desvío de entrada de amplificadores operacionales MOS<br/><br/>471<br/><br/>CAPITULO 7 RESPUESTA DE FRECUENCIA DE LOS CIRCUITOS<br/><br/>INTEGRADOS<br/><br/>479<br/><br/>7.1 7.2 Respuesta en frecuencia del amplificador de una etapa<br/><br/>Introducción<br/><br/>7.3 Respuesta a la frecuencia del amplificador multietapa<br/><br/>479<br/><br/>479<br/><br/>7.4 Análisis de la respuesta en frecuencia del amplificador operacional 741<br/><br/>519<br/><br/>524<br/><br/>7.5 Relación entre la respuesta a la frecuencia y el tiempo de respuesta<br/><br/>CAPITULO 8<br/><br/>RETROALIMENTACION<br/><br/>535<br/><br/>8.2<br/><br/>8.1 Ecuación de retroalimentación ideal<br/><br/>535<br/><br/>8.3<br/><br/>Sensibilidad de la ganancia<br/><br/>537<br/><br/>Efecto de la retroalimentación negativa sobre la distorsión<br/><br/>538<br/><br/>8.4<br/><br/>Configuraciones de retroalimentación<br/><br/>540<br/><br/>8.5<br/><br/>Configuraciones prácticas y el efecto de la carga<br/><br/>547<br/><br/>8.6<br/><br/>Retroalimentación de una etapa<br/><br/>577<br/><br/>8.7 El regulador de voltaje como un circuito de retroalimentación<br/><br/>584<br/><br/>CAPITULO 9 RESPUESTA DE FRECUENCIA Y ESTABILIDAD DE LOS AMPLIFICADORES RETROALIMENTADOS<br/><br/>597<br/><br/>9.1 Introducción<br/><br/>Relación entre ganancia y ancho de banda en amplificadores<br/><br/>9.2<br/><br/>retroalimentados<br/><br/>9.3<br/><br/>Inestabilidad y el criterio Nyquist<br/><br/>9.4 Compensación<br/><br/>9.5<br/><br/>Técnicas de lugar geométrico de la raíz<br/><br/>9.6<br/><br/>Rapidez de respuesta<br/><br/>597<br/><br/>597<br/><br/>599<br/><br/>607<br/><br/>623<br/><br/>642<br/><br/>CAPITULO 10<br/><br/>CIRCUITOS ANALOGOS NO LINEALES<br/><br/>661<br/><br/>10.2<br/><br/>10.1 Introducción<br/><br/>661<br/><br/>10.3<br/><br/>Rectificado de precisión<br/><br/>662<br/><br/>10.4<br/><br/>Multiplicadores analógicos que emplean el transistor bipolar<br/><br/>667<br/><br/>10.5<br/><br/>Lazos de seguimiento de fase (PLL)<br/><br/>681<br/><br/>CAPITULO 11<br/><br/>RUIDO EN CIRCUITOS INTEGRADOS<br/><br/>715<br/><br/>Sintesis de las funciones no lineales<br/><br/>708<br/><br/>11.1 Introducción<br/><br/>715<br/><br/>11.2<br/><br/>Fuentes del ruido<br/><br/>716<br/><br/>11.3<br/><br/>Modelos de ruido de componentes de circuitos integrados<br/><br/>724<br/><br/>728<br/><br/>11.4<br/><br/>Cálculos de ruido de circuito<br/><br/>11.5<br/><br/>Generadores equivalentes de ruido de entrada<br/><br/>737<br/><br/>11.6<br/><br/>Efecto de retroalimentación en el comportamiento al ruido<br/><br/>747<br/><br/>11.7<br/><br/>Comportamiento al ruido en otras configuraciones de transistores<br/><br/>756<br/><br/>761<br/><br/>11.8<br/><br/>Ruido en amplificadores operacionales<br/><br/>11.9<br/><br/>Ancho de banda del ruido<br/><br/>768<br/><br/>11.10<br/><br/>Figura de ruido y temperatura de ruido<br/><br/>773<br/><br/>Indice<br/><br/>785 
<br/><br/> Introducción<br/><br/>El análisis y el diseño de los circuitos integrados dependen en gran medida de la utilización de modelos adecuados para los componentes de dichos circuitos. Esto es verdad, tanto para el análisis manual, donde en general se utilizan modelos bastante sencillos, como para el análisis por computadora, donde se usan modelos más complejos. Dado que cualquier análisis es sólo tan exacto como exacto es el modelo utilizado, es esencial que el diseñador de circuitos tenga un profundo conocimiento del origen de los modelos de uso común y del grado de aproximación que cada uno de ellos contiene.<br/><br/>Este capítulo se ocupa de la deducción de modelos para gran señal y para pequeña señal para dispositivos de circuitos integrados. La exposición empieza con una consideración sobre las propiedades de las uniones pn, que forman una parte básica de la mayoría de los elementos de los circuitos integrados. Dado que este libro está primordialmente dedicado al análisis y diseño de circuitos, no se ha hecho ningún intento de hacer una presentación exhaustiva de la física de semiconductores. Se hace énfasis en resumir los aspectos básicos del comportamiento de los dispositivos semiconductores e indicar cómo se pueden modelar mediante modelos. 
<br/><br/><label>ISBN: </label>9688805289 
<br/><br/><label>Subjects--Topical Terms: </label><br/>Circuitos Electronicos