Análisis y Diseños de CIRCUITOS INTEGRADOS ANALOGICOS 3a edición /

By:

Paul R. Gray

Contributor(s):

Robert G. Meyer

Publication details: Prentice HallDescription: 792 páginas Ilustraciones, Tablas y Gráficas 25.4 cm x 20 cmISBN:

9688805289

Subject(s):

Circuitos Electronicos

Contents:

Contenido Simbolos Convencionales CAPITULO 1 MODELOS PARA DISPOSITIVOS ACTIVOS DE CIRCUITOS INTEGRADOS 1.1 Introducción 1.2 Región de agotamiento en una unión pa 1 1.3 Comportamiento de transistores bipolares a gran señal 1.4 Modelos en pequeña señal de los transistores bipolares 10 30 1.5 Comportamiento a gran señal de los transistores de unión de efecto de campo 46 1.6 Modelo en pequeña señal del JFET 55 1.7 Comportamiento a gran señal de los transistores de efecto de campo Metal Oxido Semiconductor 59 1.8 Modelo de pequeña señal del transistor MOS en saturación 67 1.9 1.10 Conducción subumbral en MOSFET 1.11 Efecto de canal corto en FET 72 76 TAM Flujo de corriente en el sustrato en MOSFET Apéndice A1.1 Resumen de parámetros de dispositivos activos 81 CAPITULO 2 TECNOLOGIA DE CIRCUITOS INTEGRADOS BIPOLARES, MOS Y BICMOS 89 2.1 Introducción 89 PEPLA 90 2.2 Procesos básicos en la fabricación de circuitos integrados 2.3 Fabricación de circuitos integrados bipolares de alto voltaje 102 2.4 Fabricación avanzada de circuitos integrados bipolares 105 2.5 Dispositivos activos en circuitos integrados analógicos bipolares 111 2.6 Componentes pasivos en los circuitos integrados bipolares 133 2.7 Modificaciones al proceso bipolar básico 143 2.8 Fabricación de circuitos integrados MOS 149 2.9 Dispositivos activos en los circuitos integrados MOS 154 2.10 Componentes pasivos en la tecnología MOS 167 2.11 Tecnología BICMOS 172 2.12 Economía en la fabricación de circuitos integrados 173 2.13 Consideraciones de encapsulado para circuitos integrados TO/180 Apéndice A2.1 Archivos de parámetros de modelo SPICE 185 CAPITULO 3 AMPLIFICADORES DE UNO Y DE DOS TRANSISTORES 193 3.1 Selección de modelo de dispositivo para el análisis aproximado de los circuitos analógicos 195 3.2 Etapas básicas de amplificación de un solo transistor 196 219 227 3.4 Pares acopiados en emisor 3.3 Etapas de amplificador de dos transistores 3.5 Pares FET acoplados en fuente 244 3.6 Efectes de desigualdad en dispositivos de amplificadores diferenciales 250 Apéndice A3.1 Estadistica elemental y la distribución de Gauss 260 CAPITULO 4 FUENTES DE CORRIENTE DE TRANSISTORES Y CARGAS 269 ACTIVAS 4.1 Introducción 269 4.2 Fuentes de corriente 270 4.3 Fuentes de corriente como cargas activas 287 Apéndice A4.1 Consideraciones de pareamiento en fuentes de corriente de transistores 317 Polarización independiente de la alimentación 322 A4.2 A4.3 Polarización independiente de la temperatura 333 346 A4.4 Polarización en baja corriente CAPITULOS ETAPAS DE SALIDA 5.1 Introducción 5.2 El emisor seguidor como etapa de salida 5.3 Etapa de salida de emisor común 5.4 Etapa de salida de base común 1377 378 409 5.5 Etapa de salida en contrafase de clase B CAPITULO 6 AMPLIFICADORES OPERACIONALES 355 355 355 370 6.1 Aplicaciones de los amplificadores operacionales 410 6.2 Desviaciones de lo ideal en amplificadores operacionales reales 420 6.4 6.3 Análisis de los amplificadores operacionales monolíticos 425 Consideraciones de diseño en amplificadores operacionales monoliticos 445 6.5 Amplificadores operacionales MOS 460 Apéndice A6.1 Cálculo de voltaje y corriente de desvio de entrada del 741 466 A6.2 Voltaje de desvío de entrada de amplificadores operacionales MOS 471 CAPITULO 7 RESPUESTA DE FRECUENCIA DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS 479 7.1 7.2 Respuesta en frecuencia del amplificador de una etapa Introducción 7.3 Respuesta a la frecuencia del amplificador multietapa 479 479 7.4 Análisis de la respuesta en frecuencia del amplificador operacional 741 519 524 7.5 Relación entre la respuesta a la frecuencia y el tiempo de respuesta CAPITULO 8 RETROALIMENTACION 535 8.2 8.1 Ecuación de retroalimentación ideal 535 8.3 Sensibilidad de la ganancia 537 Efecto de la retroalimentación negativa sobre la distorsión 538 8.4 Configuraciones de retroalimentación 540 8.5 Configuraciones prácticas y el efecto de la carga 547 8.6 Retroalimentación de una etapa 577 8.7 El regulador de voltaje como un circuito de retroalimentación 584 CAPITULO 9 RESPUESTA DE FRECUENCIA Y ESTABILIDAD DE LOS AMPLIFICADORES RETROALIMENTADOS 597 9.1 Introducción Relación entre ganancia y ancho de banda en amplificadores 9.2 retroalimentados 9.3 Inestabilidad y el criterio Nyquist 9.4 Compensación 9.5 Técnicas de lugar geométrico de la raíz 9.6 Rapidez de respuesta 597 597 599 607 623 642 CAPITULO 10 CIRCUITOS ANALOGOS NO LINEALES 661 10.2 10.1 Introducción 661 10.3 Rectificado de precisión 662 10.4 Multiplicadores analógicos que emplean el transistor bipolar 667 10.5 Lazos de seguimiento de fase (PLL) 681 CAPITULO 11 RUIDO EN CIRCUITOS INTEGRADOS 715 Sintesis de las funciones no lineales 708 11.1 Introducción 715 11.2 Fuentes del ruido 716 11.3 Modelos de ruido de componentes de circuitos integrados 724 728 11.4 Cálculos de ruido de circuito 11.5 Generadores equivalentes de ruido de entrada 737 11.6 Efecto de retroalimentación en el comportamiento al ruido 747 11.7 Comportamiento al ruido en otras configuraciones de transistores 756 761 11.8 Ruido en amplificadores operacionales 11.9 Ancho de banda del ruido 768 11.10 Figura de ruido y temperatura de ruido 773 Indice 785

Summary: Introducción El análisis y el diseño de los circuitos integrados dependen en gran medida de la utilización de modelos adecuados para los componentes de dichos circuitos. Esto es verdad, tanto para el análisis manual, donde en general se utilizan modelos bastante sencillos, como para el análisis por computadora, donde se usan modelos más complejos. Dado que cualquier análisis es sólo tan exacto como exacto es el modelo utilizado, es esencial que el diseñador de circuitos tenga un profundo conocimiento del origen de los modelos de uso común y del grado de aproximación que cada uno de ellos contiene. Este capítulo se ocupa de la deducción de modelos para gran señal y para pequeña señal para dispositivos de circuitos integrados. La exposición empieza con una consideración sobre las propiedades de las uniones pn, que forman una parte básica de la mayoría de los elementos de los circuitos integrados. Dado que este libro está primordialmente dedicado al análisis y diseño de circuitos, no se ha hecho ningún intento de hacer una presentación exhaustiva de la física de semiconductores. Se hace énfasis en resumir los aspectos básicos del comportamiento de los dispositivos semiconductores e indicar cómo se pueden modelar mediante modelos.

Holdings
Cover image	Item type	Current library	Collection	Call number	Copy number	Status	Date due	Barcode
	Libro	CI Gustavo A. Madero 2 Sala General	Colección General	LCC	1	Available
	Libro	CI Gustavo A. Madero 2 Sala General	Colección General	LCC	2	Available

Incluye Referencias Bibliográficas

Contenido

Simbolos Convencionales

CAPITULO 1

MODELOS PARA DISPOSITIVOS ACTIVOS DE CIRCUITOS INTEGRADOS

1.1 Introducción

1.2

Región de agotamiento en una unión pa

1

1.3 Comportamiento de transistores bipolares a gran señal 1.4 Modelos en pequeña señal de los transistores bipolares

10

30

1.5 Comportamiento a gran señal de los transistores de unión de efecto de campo

46

1.6

Modelo en pequeña señal del JFET

55

1.7 Comportamiento a gran señal de los transistores de efecto de campo Metal Oxido Semiconductor

59

1.8

Modelo de pequeña señal del transistor MOS en saturación

67

1.9 1.10 Conducción subumbral en MOSFET

1.11

Efecto de canal corto en FET

72

76

TAM

Flujo de corriente en el sustrato en MOSFET Apéndice

A1.1 Resumen de parámetros de dispositivos activos

81

CAPITULO 2

TECNOLOGIA DE CIRCUITOS INTEGRADOS BIPOLARES, MOS Y BICMOS

89

2.1 Introducción

89

PEPLA 90

2.2 Procesos básicos en la fabricación de circuitos integrados 2.3

Fabricación de circuitos integrados bipolares de alto voltaje

102

2.4 Fabricación avanzada de circuitos integrados bipolares

105

2.5 Dispositivos activos en circuitos integrados analógicos bipolares

111

2.6 Componentes pasivos en los circuitos integrados bipolares

133

2.7 Modificaciones al proceso bipolar básico

143

2.8 Fabricación de circuitos integrados MOS

149

2.9 Dispositivos activos en los circuitos integrados MOS

154

2.10 Componentes pasivos en la tecnología MOS

167

2.11 Tecnología BICMOS

172

2.12 Economía en la fabricación de circuitos integrados

173

2.13 Consideraciones de encapsulado para circuitos integrados

TO/180

Apéndice

A2.1 Archivos de parámetros de modelo SPICE

185

CAPITULO

3 AMPLIFICADORES DE UNO Y DE DOS TRANSISTORES

193

3.1 Selección de modelo de dispositivo para el análisis aproximado de los circuitos analógicos

195

3.2 Etapas básicas de amplificación de un solo transistor

196

219

227

3.4 Pares acopiados en emisor 3.3 Etapas de amplificador de dos transistores

3.5

Pares FET acoplados en fuente

244

3.6

Efectes de desigualdad en dispositivos de amplificadores diferenciales

250

Apéndice

A3.1 Estadistica elemental y la distribución de Gauss

260

CAPITULO 4

FUENTES DE CORRIENTE DE TRANSISTORES Y CARGAS

269

ACTIVAS

4.1 Introducción

269

4.2 Fuentes de corriente

270

4.3

Fuentes de corriente como cargas activas

287

Apéndice

A4.1 Consideraciones de pareamiento en fuentes de corriente de

transistores

317

Polarización independiente de la alimentación

322

A4.2

A4.3 Polarización independiente de la temperatura

333

346

A4.4 Polarización en baja corriente

CAPITULOS ETAPAS DE SALIDA

5.1 Introducción

5.2 El emisor seguidor como etapa de salida

5.3 Etapa de salida de emisor común

5.4 Etapa de salida de base común

1377

378

409

5.5 Etapa de salida en contrafase de clase B

CAPITULO 6

AMPLIFICADORES OPERACIONALES

355

355

355

370

6.1

Aplicaciones de los amplificadores operacionales

410

6.2 Desviaciones de lo ideal en amplificadores operacionales reales

420

6.4

6.3 Análisis de los amplificadores operacionales monolíticos

425

Consideraciones de diseño en amplificadores operacionales monoliticos

445

6.5 Amplificadores operacionales MOS

460

Apéndice

A6.1 Cálculo de voltaje y corriente de desvio de entrada del 741

466

A6.2 Voltaje de desvío de entrada de amplificadores operacionales MOS

471

CAPITULO 7 RESPUESTA DE FRECUENCIA DE LOS CIRCUITOS

INTEGRADOS

479

7.1 7.2 Respuesta en frecuencia del amplificador de una etapa

Introducción

7.3 Respuesta a la frecuencia del amplificador multietapa

479

479

7.4 Análisis de la respuesta en frecuencia del amplificador operacional 741

519

524

7.5 Relación entre la respuesta a la frecuencia y el tiempo de respuesta

CAPITULO 8

RETROALIMENTACION

535

8.2

8.1 Ecuación de retroalimentación ideal

535

8.3

Sensibilidad de la ganancia

537

Efecto de la retroalimentación negativa sobre la distorsión

538

8.4

Configuraciones de retroalimentación

540

8.5

Configuraciones prácticas y el efecto de la carga

547

8.6

Retroalimentación de una etapa

577

8.7 El regulador de voltaje como un circuito de retroalimentación

584

CAPITULO 9 RESPUESTA DE FRECUENCIA Y ESTABILIDAD DE LOS AMPLIFICADORES RETROALIMENTADOS

597

9.1 Introducción

Relación entre ganancia y ancho de banda en amplificadores

9.2

retroalimentados

9.3

Inestabilidad y el criterio Nyquist

9.4 Compensación

9.5

Técnicas de lugar geométrico de la raíz

9.6

Rapidez de respuesta

597

597

599

607

623

642

CAPITULO 10

CIRCUITOS ANALOGOS NO LINEALES

661

10.2

10.1 Introducción

661

10.3

Rectificado de precisión

662

10.4

Multiplicadores analógicos que emplean el transistor bipolar

667

10.5

Lazos de seguimiento de fase (PLL)

681

CAPITULO 11

RUIDO EN CIRCUITOS INTEGRADOS

715

Sintesis de las funciones no lineales

708

11.1 Introducción

715

11.2

Fuentes del ruido

716

11.3

Modelos de ruido de componentes de circuitos integrados

724

728

11.4

Cálculos de ruido de circuito

11.5

Generadores equivalentes de ruido de entrada

737

11.6

Efecto de retroalimentación en el comportamiento al ruido

747

11.7

Comportamiento al ruido en otras configuraciones de transistores

756

761

11.8

Ruido en amplificadores operacionales

11.9

Ancho de banda del ruido

768

11.10

Figura de ruido y temperatura de ruido

773

Indice

785

Introducción

El análisis y el diseño de los circuitos integrados dependen en gran medida de la utilización de modelos adecuados para los componentes de dichos circuitos. Esto es verdad, tanto para el análisis manual, donde en general se utilizan modelos bastante sencillos, como para el análisis por computadora, donde se usan modelos más complejos. Dado que cualquier análisis es sólo tan exacto como exacto es el modelo utilizado, es esencial que el diseñador de circuitos tenga un profundo conocimiento del origen de los modelos de uso común y del grado de aproximación que cada uno de ellos contiene.

Este capítulo se ocupa de la deducción de modelos para gran señal y para pequeña señal para dispositivos de circuitos integrados. La exposición empieza con una consideración sobre las propiedades de las uniones pn, que forman una parte básica de la mayoría de los elementos de los circuitos integrados. Dado que este libro está primordialmente dedicado al análisis y diseño de circuitos, no se ha hecho ningún intento de hacer una presentación exhaustiva de la física de semiconductores. Se hace énfasis en resumir los aspectos básicos del comportamiento de los dispositivos semiconductores e indicar cómo se pueden modelar mediante modelos.

There are no comments on this title.

to post a comment.

Click on an image to view it in the image viewer