MARC details
| 000 -CABECERA |
|---|
| campo de control de longitud fija |
14693 a2200229 4500 |
| 008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL |
|---|
| campo de control de longitud fija |
250318s########|||||||||||||||||||||||#d |
| 020 ## - INTERNATIONAL STANDARD BOOK NUMBER |
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| International Standard Book Number |
9702604362 |
| 040 ## - FUENTE DE CATALOGACIÓN |
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| Centro catalogador/agencia de origen |
GAMADERO2 |
| Lengua de catalogación |
Español |
| Centro/agencia transcriptor |
GAMADERO2 |
| 100 ## - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA |
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| Nombre de persona |
Boylestad Nashelsky |
| 245 ## - MENCIÓN DEL TÍTULO |
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| Título |
ELECTRONICA TEORIA DE CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRONICOS / |
| 250 ## - MENCION DE EDICION |
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| Mención de edición |
8 |
| 260 ## - PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, ETC. |
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| Nombre del editor, distribuidor, etc. |
prentice hall |
| 300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA |
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| Extensión |
1020 páginas |
| Otras características físicas |
Ilustraciones, Tablas y Gráficas |
| Dimensiones |
26.8 cm x 20.7 cm |
| 504 ## - NOTA DE BIBLIOGRAFÍA, ETC. |
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| Nota de bibliografía, etc. |
Incluye Referencias Bibliográficas |
| 505 ## - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO |
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| Nota de contenido con formato |
PREFACIO<br/><br/>AGRADECIMIENTOS<br/><br/>1 DIODOS SEMICONDUCTORES<br/><br/>1.1 Introducción 1<br/><br/>1.2 El diodo ideal 1<br/><br/>1.3 Materiales semiconductores 3<br/><br/>1.4 Niveles de energía 6<br/><br/>1.5 Materiales extrínsecos: tipo n y tipo p 7<br/><br/>1.6 Diodo semiconductor 10<br/><br/>1.7 Mathcad 17<br/><br/>1.8 Niveles de resistencia 20<br/><br/>1.9 Circuitos equivalentes para diodos 26<br/><br/>1.10<br/><br/>Hojas de especificaciones de diodos 29<br/><br/>1.11<br/><br/>Capacitancia de transición y de difusión 33<br/><br/>1.12 Tiempo de recuperación inverso 34<br/><br/>1.13 Notación de diodos semiconductores 34<br/><br/>1.14 Prueba de diodos 35<br/><br/>1.15 Diodos Zener 37<br/><br/>1.16 Diodos emisores de luz (LEDs) 40<br/><br/>1.17 Arreglos de diodos: circuitos integrados 45<br/><br/>1.18 Resumen 46<br/><br/>1.19 Análisis por computadora 47<br/><br/>2 APLICACIONES DE DIODOS<br/><br/>2.1 Introducción 55<br/><br/>2.2 Análisis por medio de la recta de carga 56<br/><br/>2.3 Aproximaciones de diodos 62<br/><br/>2.4 Configuraciones de diodos en serie con entradas de 64<br/><br/>2.5 Configuraciones en paralelo y en serie-paralelo 69<br/><br/>2.6 Compuertas AND/OR 72<br/><br/>2.7 Entradas senoidales; rectificación de media onda 74<br/><br/>2.8 Rectificación de onda completa 77<br/><br/>2.9 Recortadores 81<br/><br/>2.10 Cambiadores de nivel 88<br/><br/>2.11 Diodos Zener 92<br/><br/>2.12 Circuitos multiplicadores de voltaje 98<br/><br/>2.13 Aplicaciones prácticas 100<br/><br/>2.14 Resumen 112<br/><br/>2.15 Análisis por computadora 113<br/><br/>3 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNIÓN<br/><br/>3.1 Introducción 131<br/><br/>3.2 Construcción del transistor 132<br/><br/>3.3 Operación del transistor 132<br/><br/>3.4 Configuración de base común 134<br/><br/>3.5 Acción amplificadora del transistor 138 Configuración de emisor común 139<br/><br/>3.6<br/><br/>3.7 Configuración de colector común 146<br/><br/>3.8 Límites de operación 147<br/><br/>3.9 Hoja de especificaciones de transistores 149<br/><br/>3.10 Verificación de transistores 153<br/><br/>3.11 Encapsulado de transistores e identificación de terminales 155 D<br/><br/>3.12 Resumen 156<br/><br/>3.13 Análisis por computadora 158<br/><br/>4 POLARIZACIÓN DE DC PARA BJTS<br/><br/>4.1 Introducción 163<br/><br/>4.2 Punto de operación 164<br/><br/>4.3 Circuito de polarización fija 166<br/><br/>4.4 Circuito de polarización estabilizado en emisor 173<br/><br/>45 Polarización por divisor de voltaje 177<br/><br/>4.6 Polarización de con retroalimentación de voltaje 186<br/><br/>4.7 Diversas configuraciones de polarización 189<br/><br/>4.8 Operaciones de diseño 195<br/><br/>4.9 Redes de conmutación con transistores 201<br/><br/>4.10 Técnicas para localización de fallas 206<br/><br/>4.11 Transistores PNP 209<br/><br/>4.12 Estabilización de la polarización 210<br/><br/>4.13 Aplicaciones prácticas 220<br/><br/>4.14 Resumen 228<br/><br/>4.15 Análisis por computadora 231<br/><br/>5 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO =<br/><br/>5.1 Introducción 245<br/><br/>5.2 Construcción y características de los JFETs 246<br/><br/>5.3 Características de transferencia 253<br/><br/>5.4 Hojas de especificaciones (JFETs) 259<br/><br/>5.5 Instrumentación 261<br/><br/>5.6 Relaciones importantes 262<br/><br/>5.7 MOSFET de tipo decremental 263<br/><br/>5.8 MOSFET de tipo incremental 269<br/><br/>5.9 Manejo del MOSFET 276<br/><br/>5.10 VMOS 277<br/><br/>5.11 CMOS 278<br/><br/>5.12 Tabla de resumen 280<br/><br/>5.13 Resumen 281<br/><br/>5.14 Análisis por computadora 282<br/><br/>6 POLARIZACIÓN DEL FET<br/><br/>6.1 Introducción 289<br/><br/>6.2 Configuración de polarización fija 290<br/><br/>6.3 Configuración de autopolarización 294<br/><br/>6.4 Polarización por divisor de voltaje 301<br/><br/>6.5 MOSFETs de tipo decremental 307<br/><br/>6.6 MOSFETs de tipo incremental 311<br/><br/>6.7 Tabla de resumen 317<br/><br/>6.8 Redes combinadas 319<br/><br/>6.9 Diseño 322<br/><br/>6.10 Localización de fallas 324<br/><br/>6.11 FETs de canal-p 325<br/><br/>6.12 Curva universal de polarización para JFET 328<br/><br/>6.13 Aplicaciones prácticas 331<br/><br/>6.14 Resumen 343<br/><br/>6.15 Análisis por computadora 344<br/><br/>7 MODELAJE DE TRANSISTORES BIPOLARES<br/><br/>7.1 Introducción 355<br/><br/>7.2 Amplificación en el dominio de ac 355<br/><br/>7.3 Modelaje de transistores bipolares 356<br/><br/>7.4 Los parámetros importantes: Z, Z, A, y A 358<br/><br/>7.5 El modelo r, del transistor 364<br/><br/>7.6 Modelo híbrido equivalente 371<br/><br/>7.7 Determinación gráfica de los parámetros-h 377<br/><br/>7.8 Variaciones de los parámetros del transistor 381<br/><br/>8 ANÁLISIS A PEQUEÑA SEÑAL DEL TRANSISTOR BIPOLAR<br/><br/>8.1 Introducción 389<br/><br/>8.2 Configuración de polarización fija con emisor común 389<br/><br/>8.3 Polarización por divisor de voltaje 393<br/><br/>8.4 Configuración de polarización en emisor para emisor común 396<br/><br/>8.5 Configuración de emisor-seguidor 404<br/><br/>8.6 Configuración de base común 409<br/><br/>8.8 Configuración de retroalimentación de de en colector 417<br/><br/>8.7 Configuración de retroalimentación en colector 411<br/><br/>8.9 Circuito equivalente híbrido aproximado 420<br/><br/>8.10 Modelo equivalente híbrido completo 426<br/><br/>8.11<br/><br/>Tabla de resumen 433<br/><br/>8.12<br/><br/>Localización de fallas 433<br/><br/>8.13<br/><br/>Aplicaciones prácticas 436<br/><br/>8.14<br/><br/>Resumen 444<br/><br/>8.15<br/><br/>Análisis por computadora 446<br/><br/>9<br/><br/>ANÁLISIS A PEQUEÑA SEÑAL PARA FET<br/><br/>9.1 Introducción 461<br/><br/>9.2 Modelo de pequeña señal para el FET 462<br/><br/>9.3 Configuración de polarización fija para el JFET 469<br/><br/>9.4 Configuración de autopolarización para el JFET 472 9.5 Configuración de divisor de voltaje para el JFET 479<br/><br/>9.6 Configuración fuente-seguidor (drenaje común) para el JFET 480<br/><br/>9.7 Configuración de compuerta común para el JFET 483<br/><br/>9.8 MOSFETs de tipo decremental 487<br/><br/>9.9 MOSFETs de tipo incremental 489<br/><br/>9.10 Configuración de retroalimentación en drenaje para el E-MOSFET 490<br/><br/>9.11<br/><br/>Configuración de divisor de voltaje para E-MOSFET 493<br/><br/>9.12 Diseño de redes de amplificador FET 494<br/><br/>9.14<br/><br/>Localización de fallas 500<br/><br/>9.13 Tabla de resumen 497<br/><br/>9.15 Aplicaciones prácticas 500<br/><br/>9.16 Resumen 510<br/><br/>9.17<br/><br/>Análisis por computadora 512<br/><br/>10<br/><br/>APLICACIÓN DE SISTEMAS:<br/><br/>EFECTOS DE R, Y R₁<br/><br/>10.1 Introducción 525<br/><br/>10.2<br/><br/>Sistemas de dos puertos 525<br/><br/>10.3<br/><br/>Efecto de una impedancia de carga (R₁) 527<br/><br/>10.4 Efecto de la impedancia de la fuente (R.) 532<br/><br/>10.5 Efecto combinado de R, y R, 534<br/><br/>10,6 Redes BJT de emisor común 536<br/><br/>10.7 Redes emisor-seguidor de BJT 542<br/><br/>10.8 Redes BJT de base común 545<br/><br/>10.9<br/><br/>Redes FET 547<br/><br/>10.10 Tabla de resumen 550<br/><br/>10.11<br/><br/>Sistemas en cascada 554<br/><br/>10.12 Resumen 555<br/><br/>10.13 Análisis por computadora 557<br/><br/>11<br/><br/>RESPUESTA A LA FRECUENCIA DE TRANSISTORES BJT Y JFET<br/><br/>11.1 Introducción 569<br/><br/>11.2 Logaritmos 569<br/><br/>11.3 Decibeles 573<br/><br/>11.4 Consideraciones generales sobre la frecuencia 576<br/><br/>11.5 Análisis de baja frecuencia: Gráfica de Bode 579<br/><br/>11.6 Respuesta a baja frecuencia: Amplificador BJT 586<br/><br/>11.7 Respuesta a baja frecuencia: Amplificador FET 594<br/><br/>11.8 Capacitancia de efecto Miller 600<br/><br/>11.9 Respuesta a alta frecuencia: Amplificador BJT 602 11.10 Respuesta a alta frecuencia: Amplificador FET 609<br/><br/>11.11 Efectos de frecuencia en multietapas 613<br/><br/>11.12 Prueba de onda cuadrada 615<br/><br/>11.13 Resumen 617<br/><br/>11.14 Análisis por computadora 620<br/><br/>12<br/><br/>CONFIGURACIONES COMPUESTAS<br/><br/>12.1 Introducción 627<br/><br/>12.2 Conexión en cascada 627<br/><br/>12.3 Conexión cascode 632<br/><br/>12.4 Conexión Darlington 633<br/><br/>12.5 Par de retroalimentación 638<br/><br/>12.6 Circuito CMOS 642<br/><br/>12.7 Circuitos de fuente de corriente 644<br/><br/>12.8 Circuitos de espejo de corriente 646<br/><br/>12,9 Circuito amplificador diferencial 649<br/><br/>12.10 Circuitos amplificadores diferenciales BIFET, BIMOS y CMOS 657<br/><br/>12.11 Resumen 658<br/><br/>12.12 Análisis por computadora 660<br/><br/>13<br/><br/>AMPLIFICADORES OPERACIONALES<br/><br/>13.1<br/><br/>Introducción 675<br/><br/>13.2<br/><br/>Operación en modo diferencial y en modo común 677 Fundamentos del amplificador operacional 681 MЛОЯТИЯ<br/><br/>13.3<br/><br/>13.4<br/><br/>13.5<br/><br/>13.6<br/><br/>Circuitos prácticos con amplificadores operacionales 685 11020<br/><br/>Especificaciones del amplificador operacional:<br/><br/>Parámetros de desvío de dc 691<br/><br/>13.6 Especificaciones del amplificador operacional: parámetros de frecuencia<br/><br/>13.7<br/><br/>Especificaciones para el amplificador operacional típico 698<br/><br/>13.8<br/><br/>Resumen 704<br/><br/>13.9 Análisis por computadora 705<br/><br/>14<br/><br/>APLICACIONES DEL AMPLIFICADOR OPERACIONAL<br/><br/>14.1 Multiplicador de ganancia constante 715<br/><br/>14.2 Sumador de voltaje 719<br/><br/>14.3<br/><br/>Acoplador de voltaje 722<br/><br/>14.4 Fuentes controladas 723<br/><br/>14.5 Circuitos de instrumentación 725<br/><br/>14.6 Filtros activos 729<br/><br/>14.7 Resumen 733<br/><br/>14.8 Análisis por computadora 733<br/><br/>15<br/><br/>AMPLIFICADORES DE POTENCIA<br/><br/>15.1 Introducción: definiciones y tipos de amplificadores 747<br/><br/>15.2 Amplificador Clase A alimentado en serie 749<br/><br/>15.3 Amplificador Clase A acoplado por transformador 754<br/><br/>15.4 Operación del amplificador Clase B 761<br/><br/>15.5 Circuitos amplificadores Clase B 765<br/><br/>15.6 Distorsión del amplificador 772<br/><br/>15.7 Disipación de calor del transistor de potencia 776<br/><br/>15.8 Amplificadores Clase Cy Clase D 780<br/><br/>15.9 Resumen 782<br/><br/>15.10<br/><br/>Análisis por computadora 784<br/><br/>16<br/><br/>CIRCUITOS INTEGRADOS CIS LINEALES DIGITALES<br/><br/>16.1 Introducción 791<br/><br/>16.2 Operación del comparador 791<br/><br/>16.3 Convertidores digitales-analógicos 798<br/><br/>16.4 Operación de la unidad temporizadora de C1 802<br/><br/>16.5 Oscilador controlado por voltaje 805<br/><br/>16.6 Lazo de seguimiento de fase 808<br/><br/>16.7 Circuitos de interfase 812<br/><br/>16.8 Resumen 815<br/><br/>16.9 Análisis por computadora 815<br/><br/>17<br/><br/>RETROALIMENTACIÓN Y CIRCUITOS<br/><br/>OSCILADORES<br/><br/>17.1<br/><br/>17.2<br/><br/>Conceptos de retroalimentación 821<br/><br/>Tipos de conexión de retroalimentación 822<br/><br/>17.3<br/><br/>Amplificador con retroalimentación: consideraciones de fase y frecuencia 835 17.4<br/><br/>Operación del oscilador 837 17.5<br/><br/>Oscilador de corrimiento de fase 839<br/><br/>Oscilador de puente Wien 842 17.7<br/><br/>17.6<br/><br/>17.8 Circuito oscilador sintonizado 843<br/><br/>17.9 Oscilador de cristal 846<br/><br/>17.10 Oscilador monounión 850<br/><br/>17.11 Resumen 852<br/><br/>17.12 Análisis por computadora 853<br/><br/>18<br/><br/>FUENTES DE ALIMENTACIÓN (REGULADORES DE VOLTAJE)<br/><br/>18.1 Introducción 859<br/><br/>18.2<br/><br/>859<br/><br/>Consideraciones generales de los filtros 859<br/><br/>18.3 Filtro de capacitor 862<br/><br/>18.4 Filtros RC 865<br/><br/>18.5<br/><br/>Regulación de voltaje con transistor discreto 868<br/><br/>18.6 Reguladores de voltaje de CI 875<br/><br/>18.7 Aplicaciones prácticas 880<br/><br/>18.8 Resumen 883<br/><br/>18.9 Análisis por computadora 884<br/><br/>19<br/><br/>OTROS DISPOSITIVOS<br/><br/>316<br/><br/>DE DOS TERMINALES<br/><br/>889<br/><br/>19.1 Introducción 889<br/><br/>19.2 Diodos de barrera Schottky (portadores calientes) 889<br/><br/>19.3 Diodos varactores (varicap) 892<br/><br/>19.4 Diodos de potencia 897<br/><br/>19.5 Diodos túnel 898<br/><br/>19.6 Fotodiodos 902<br/><br/>19.7 Celdas fotoconductoras 906<br/><br/>19.8 Emisores IR (infrarrojos) 908 19.9 Pantallas de cristal líquido 909<br/><br/>ALIOV<br/><br/>19.10 Celdas solares 912<br/><br/>19.11 Termistores 916<br/><br/>19.12 Resumen 918<br/><br/>20<br/><br/>DISPOSITIVOS pnpn Y OTROS<br/><br/>2310<br/><br/>923<br/><br/>20.1 Introducción 923<br/><br/>20.2 Rectificador controlado de silicio 923<br/><br/>20.3 Operación básica del rectificador controlado de silicio 923<br/><br/>Características y valores nominales del SCR 925 20.4<br/><br/>Construcción e identificación de terminales del SCR 927<br/><br/>20.5<br/><br/>20.6 Aplicaciones del SCR 928<br/><br/>20.7 Interruptor controlado de silicio 932<br/><br/>20.8<br/><br/>Interruptor controlado en compuerta 934<br/><br/>20.9<br/><br/>SCR activado por luz 935<br/><br/>20.10 Diodo Shockley 937<br/><br/>20.11 DIAC 938<br/><br/>20.12<br/><br/>TRIAC 940<br/><br/>20.13<br/><br/>Transistor monounión 941<br/><br/>20.14 Fototransistores 950<br/><br/>20.15 Optoaisladores 952<br/><br/>20.16 Transistor monounión programable 955<br/><br/>20.17<br/><br/>Resumen 960<br/><br/>21<br/><br/>EL OSCILOSCOPIO Y OTROS INSTRUMENTOS DE MEDICIÓN<br/><br/>21.1 Introducción 965<br/><br/>21.2 Tubo de rayos catódicos: teoría y construcción 965<br/><br/>21.3<br/><br/>21.4<br/><br/>21.5<br/><br/>Operación del osciloscopio de rayos catódicos 966<br/><br/>Operación de barrido de voltaje 967<br/><br/>Sincronización y disparo 970<br/><br/>21.6 Operación de multitrazo 974<br/><br/>21.7<br/><br/>21.8<br/><br/>Medición mediante escalas calibradas del CRO 974<br/><br/>21.9<br/><br/>Características especiales del CRO 979<br/><br/>Generadores de señal 980<br/><br/>21.10<br/><br/>Análisis por computadora 982<br/><br/>APÉNDICES<br/><br/>A FABRICACIÓN DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS QUE MUEVEN AL MUNDO<br/><br/>PARÁMETROS HÍBRIDOS: ECUACIONES DE CONVERSIÓN (EXACTAS Y APROXIMADAS)<br/><br/>CÁLCULOS DEL VOLTAJE Y DEL FACTOR DE RIZO<br/><br/>TABLAS<br/><br/>SOLUCIONES A PROBLEMAS NONES SELECCIONADOS<br/><br/>ÍNDICE |
| 520 ## - RESUMEN, ETC. |
|---|
| Resumen, etc. |
El 23 de diciembre de 1947, hace ya más de 50 años, se desarrolló el primer transistor. Para aquellos de nosotros que vivimos la evolución de los tubos de vacío hacia la era del estado sólido, parecieran sólo unos cuantos años. La primera edición de este texto contenía una amplia cobertura sobre los tubos de vacío, y para ediciones posteriores se tuvo que tomar la decisión entre el nivel de cobertura dedicado a los tubos y el dedicado a los dispositivos semiconductores. En este momento ya no es válido siquiera mencionar los tubos de vacío ni mostrar las ventajas de uno sobre el otro, ya que estamos situados firmemente en la era del estado sólido.<br/><br/>La miniaturización de los componentes que se ha originado abre cuestionamientos acerca de hasta dónde llegarán sus límites. Ahora es posible encontrar sistemas completos sobre obleas de silicio que son miles de veces más pequeñas comparadas con un solo elemento de los primeros sistemas. Los circuitos integrados (CI) de hoy, cuentan con más de 10 millones de transistores en un área no mayor a la uña de un pulgar. * Cada semana surgen diseños y sistemas nuevos. Para el ingeniero esto implica una limitación en cuanto a su conocimiento sobre la amplia gama de avances tecnológicos; simplemente poder mantenerse actualizado sobre los cambios en un área de investigación o desarrollo ya es de por sí complicado. Además, hemos llegado a un punto en el que el objetivo primario del encapsulado de un componente es el de servir sólo como un medio para manipular el dispositivo o sistema y para proveer un mecanismo que permita acoplarlo al resto del sistema o red. La miniaturización parece estar limitada por tres facto-res (los cuales revisaremos durante el texto): la calidad del propio material semiconductor, la técnica del diseño de la red y las limitaciones en el equipo de manufactura y procesamiento. |
| 942 ## - ELEMENTOS DE ENTRADA SECUNDARIOS (KOHA) |
|---|
| Tipo de ítem Koha |
Libro |
| Fuente del sistema de clasificación o colocación |
Clasificación Decimal Dewey |
| 945 ## - CATALOGADORES |
|---|
| Número del Creador del Registro |
1 |
| Nombre del Creador del Registro |
admin |
| Número de último modificador del registro |
1261 |
| Nombre del último modificador del registro |
Jenny Viridiana Quiroz Linares |
